RAM (Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên) là một loại bộ nhớ cần nguồn điện liên tục để giữ lại dữ liệu trong đó, một khi nguồn điện bị gián đoạn, dữ liệu sẽ bị mất, đó là lý do tại sao nó được gọi là bộ nhớ dễ bay hơi . Đọc và ghi trong RAM rất dễ dàng và nhanh chóng và được thực hiện thông qua các tín hiệu điện.
Biểu đồ so sánh
| Cơ sở để so sánh | SRAM | LÁI |
|---|---|---|
| Tốc độ | Nhanh hơn | Chậm hơn |
| Kích thước | Nhỏ bé | Lớn |
| Giá cả | Đắt | Giá rẻ |
| Được dùng trong | Bộ nhớ cache | Bộ nhớ chính |
| Tỉ trọng | Ít đậm đặc hơn | Mật độ cao |
| Xây dựng | Phức tạp và sử dụng bóng bán dẫn và chốt. | Đơn giản và sử dụng tụ điện và rất ít bóng bán dẫn. |
| Một khối bộ nhớ yêu cầu | 6 bóng bán dẫn | Chỉ có một bóng bán dẫn. |
| Phí rò rỉ tài sản | Không có mặt | Hiện tại do đó yêu cầu mạch làm mới điện |
| Sự tiêu thụ năng lượng | Thấp | Cao |
Định nghĩa của SRAM
SRAM (Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên tĩnh) được tạo thành từ công nghệ CMOS và sử dụng sáu bóng bán dẫn. Cấu trúc của nó bao gồm hai bộ biến tần ghép chéo để lưu trữ dữ liệu (nhị phân) tương tự như flip-flop và thêm hai bóng bán dẫn để kiểm soát truy cập. Nó tương đối nhanh hơn các loại RAM khác như DRAM. Nó tiêu thụ ít năng lượng hơn. SRAM có thể giữ dữ liệu miễn là nguồn được cung cấp cho nó.
Làm việc của SRAM cho một tế bào riêng lẻ:
Để tạo trạng thái logic ổn định, bốn bóng bán dẫn (T1, T2, T3, T4) được tổ chức theo cách kết nối chéo. Để tạo trạng thái logic 1, nút C1 cao và C2 thấp; ở trạng thái này, T1 và T4 tắt, và T2 và T3 được bật. Đối với trạng thái logic 0, đường giao nhau C1 thấp và C2 cao; ở trạng thái đã cho, T1 và T4 được bật và T2 và T3 tắt. Cả hai trạng thái đều ổn định cho đến khi điện áp dòng điện một chiều (dc) được áp dụng.
Định nghĩa về DRAM
DRAM (Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động) cũng là một loại RAM được xây dựng bằng cách sử dụng các tụ điện và một vài bóng bán dẫn. Tụ được sử dụng để lưu trữ dữ liệu trong đó giá trị bit 1 biểu thị rằng tụ được tích điện và giá trị bit 0 có nghĩa là tụ bị phóng điện. Tụ điện có xu hướng phóng điện, dẫn đến rò rỉ điện tích.
Thuật ngữ động chỉ ra rằng các điện tích liên tục bị rò rỉ ngay cả khi có nguồn điện được cung cấp liên tục, đó là lý do khiến nó tiêu thụ nhiều năng lượng hơn. Để giữ lại dữ liệu trong một thời gian dài, nó cần phải được làm mới nhiều lần, đòi hỏi phải có thêm mạch làm mới. Do sạc rò rỉ, DRAM sẽ mất dữ liệu ngay cả khi bật nguồn. DRAM có sẵn với số lượng công suất cao hơn và ít tốn kém hơn. Nó chỉ cần một bóng bán dẫn duy nhất cho khối bộ nhớ duy nhất.
Làm việc của tế bào DRAM điển hình:
Tại thời điểm đọc và ghi giá trị bit từ ô, dòng địa chỉ được kích hoạt. Transitor có trong mạch hoạt động như một công tắc được đóng (cho phép dòng điện chạy) nếu một điện áp được đặt vào dòng địa chỉ và mở (không có dòng điện) nếu không có điện áp nào được đặt vào dòng địa chỉ. Đối với hoạt động ghi, tín hiệu điện áp được sử dụng cho đường bit trong đó điện áp cao hiển thị 1 và điện áp thấp cho biết 0. Sau đó, tín hiệu được sử dụng cho đường địa chỉ cho phép truyền điện tích đến tụ điện.
Khi dòng địa chỉ được chọn để thực hiện thao tác đọc, bóng bán dẫn sẽ bật và điện tích được lưu trên tụ được cung cấp trên một dòng bit và tới bộ khuếch đại cảm giác.
Sự khác biệt chính giữa SRAM và DRAM
- SRAM là bộ nhớ trên chip có thời gian truy cập nhỏ trong khi DRAM là bộ nhớ ngoài chip có thời gian truy cập lớn. Do đó SRAM nhanh hơn DRAM.
- DRAM có sẵn trong dung lượng lưu trữ lớn hơn trong khi SRAM có kích thước nhỏ hơn .
- SRAM là đắt tiền trong khi DRAM là giá rẻ .
- Bộ nhớ cache là một ứng dụng của SRAM. Ngược lại, DRAM được sử dụng trong bộ nhớ chính .
- DRAM rất đậm đặc . Đối với, SRAM là hiếm hơn .
- Việc xây dựng SRAM rất phức tạp do sử dụng một số lượng lớn các bóng bán dẫn. Ngược lại, DRAM rất đơn giản để thiết kế và thực hiện.
- Trong SRAM, một khối bộ nhớ duy nhất cần sáu bóng bán dẫn trong khi DRAM chỉ cần một bóng bán dẫn cho một khối bộ nhớ.
- DRAM được đặt tên là động, bởi vì nó sử dụng tụ điện tạo ra dòng rò do chất điện môi được sử dụng bên trong tụ để tách các tấm dẫn điện không phải là một chất cách điện hoàn hảo do đó cần có mạch làm mới điện. Mặt khác, không có vấn đề rò rỉ điện tích trong SRAM.
- Tiêu thụ điện năng cao hơn trong DRAM so với SRAM. SRAM hoạt động theo nguyên tắc thay đổi hướng của dòng điện thông qua các công tắc trong khi DRAM hoạt động để giữ các khoản phí.
Phần kết luận
DRAM là hậu duệ của SRAM. DRAM được nghĩ ra để khắc phục những nhược điểm của SRAM; các nhà thiết kế đã giảm các thành phần bộ nhớ được sử dụng trong một bit bộ nhớ giúp giảm đáng kể chi phí DRAM và tăng diện tích lưu trữ. Nhưng, DRAM chậm và tiêu thụ nhiều năng lượng hơn SRAM, nó cần được làm mới thường xuyên trong vài mili giây để giữ lại các khoản phí.
