Tháng 7 năm ngoái, Samsung và IBM đã thông báo rằng họ đã phát triển một quy trình mới để sản xuất RAM không bay hơi, được đặt tên là MRAM, nhanh hơn tới 100.000 lần so với flash NAND . Chà, nếu các báo cáo được tin tưởng, người khổng lồ Hàn Quốc sẽ tiết lộ bộ nhớ MRAM vào tháng tới tại sự kiện Diễn đàn Foundry.
MRAM là viết tắt của RAM từ tính và nó được sản xuất bằng công nghệ mô-men xoắn Spin-transfer. Điều này sẽ lần lượt dẫn đến chip bộ nhớ dung lượng thấp cho các thiết bị di động hiện đang sử dụng flash NAND để lưu trữ dữ liệu.
STT-MRAM này sẽ tiêu thụ rất ít năng lượng khi bật và lưu trữ thông tin. Khi RAM không hoạt động, nó sẽ không sử dụng bất kỳ nguồn điện nào vì bộ nhớ không biến động. Vì vậy, MRAM này được nhiều nhà sản xuất sử dụng cho các ứng dụng năng lượng cực thấp .
Theo Samsung, chi phí sản xuất DRAM nhúng rẻ hơn so với bộ nhớ flash. Mặc dù kích thước nhỏ hơn của MRAM, tốc độ của nó cũng nhanh hơn các bộ nhớ flash thông thường. Thật không may, Samsung không thể sản xuất nhiều hơn một vài megabyte bộ nhớ ngay bây giờ. Ở trạng thái hiện tại, MRAM chỉ đủ tốt để được sử dụng làm bộ nhớ đệm cho bộ xử lý ứng dụng.
Sự kiện Diễn đàn Foundry của Samsung dự kiến sẽ được tổ chức vào ngày 24 tháng 5 và hy vọng khi chúng tôi có thêm thông tin chi tiết về MRAM sắp tới của Samsung. Nó đã được báo cáo rằng bộ phận kinh doanh LSI của Samsung đã tạo ra một nguyên mẫu của một SoC có MRAM được xây dựng bên trong, cũng có khả năng sẽ được công bố tại cùng một sự kiện.
